質(zhì)譜儀高真空的原因：

1.離子的平均自由行程必須大于離子源到收集器的飛行路程;

2.離子源內(nèi)高的氣壓可能引起高達(dá)數(shù)千伏的加速電壓放電;

3.電離盒內(nèi)的高氣壓導(dǎo)致離子—分子反應(yīng)，改變質(zhì)譜圖樣;

4.保護(hù)燈絲，低真空背景干擾強(qiáng)烈，噪音高。氧氣含量過高容易對(duì)電子器件破壞，很多電子器件的正常運(yùn)轉(zhuǎn)需要高真空;在低真空度下存在氧分子還會(huì)使發(fā)射電子的熱燈絲迅速氧化而損壞,就像白熾燈中的鎢絲怕見空氣被氧化一樣。

                                                    沃特世Waters Xevo TQ-S質(zhì)譜儀，Xevo TQS 

質(zhì)譜儀高真空的優(yōu)勢(shì)：

1.平均自由程是分子（離子）兩次碰撞所走過的路程，發(fā)生碰撞的時(shí)候那么離子的運(yùn)動(dòng)方向和速率都將會(huì)發(fā)生變化，在質(zhì)譜中離子的平均自由程越大，那么在有限長的真空腔體內(nèi)發(fā)生分子間或者是離子間的碰撞就越少，有利于提高分辨率，如果真空低，平均自由程就短，那么分子之間的碰撞就頻繁，分辨率下降。

2. 如果真空腔體真空低，比如說是在幾Pa到幾十Pa，那么根據(jù)放電的最佳條件可知，這個(gè)時(shí)候高壓特別容易放電；另外如果系統(tǒng)使用的是EI，那么為了防止EI燈絲燒斷，真空度

要高于10-3Pa。

3.高氣壓下，離子分子反應(yīng)這個(gè)就不必講了，CID就是最為典型的人為離子-分子反應(yīng)得到目標(biāo)離子碎片。

4.真空中必須高真空還有一點(diǎn)就是，目前所使用的微通道板和電子倍增器等信號(hào)放大系統(tǒng)都需要在高真空下才能夠達(dá)到應(yīng)有的效果。所有的質(zhì)譜都是用來檢測(cè)離子的，而這些質(zhì)譜的檢測(cè)原理不外乎是利用離子在電場(chǎng)、磁場(chǎng)或電磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)特性來使具有不同質(zhì)荷比的離子加以區(qū)分并檢測(cè)。離子要在電場(chǎng)、磁場(chǎng)格式刷或電磁場(chǎng)中飛行一定的時(shí)間和空間，如果在這些時(shí)間和空間中存在大量的氣體勢(shì)必會(huì)使離子很快淬滅而達(dá)不到檢測(cè)器。所以為了減少離子與背景氣體的碰撞淬滅要抽真空使背景氣體分子數(shù)量大大減少，以維持足夠的離子平均自由程。

簡(jiǎn)言之，最重要是使氣相離子具有較高的平均自由程，另外高真空可以防止離子-分子反應(yīng)的發(fā)生，真空有利于離子源的正常調(diào)諧，避免氣體傳導(dǎo)引起的高壓放電從而損壞電路或相關(guān)部件。

總之:

1.離子源將分子進(jìn)行離子化，形成了離子和離子碎片，真空可以降低分子離子反應(yīng) ;

2.在離子通過四級(jí)桿的時(shí)候，真空給離子提供了足夠的平均自由程，也就是提供了接近完美的環(huán)境，用來篩選離子;

3.燈絲保護(hù)作用，真空比空氣少很多分子，也就減少了干擾，降低燈絲的損耗 ;

4.調(diào)諧影響，離子源一般都是70ev，不受壓強(qiáng)影響，而發(fā)射電流則會(huì)被壓強(qiáng)影響，空間電荷妨礙電子束通過電離盒，影響正常調(diào)諧;

5.高壓放電，在高電壓下氣體傳導(dǎo)會(huì)產(chǎn)生放電現(xiàn)象；

6.電子倍增器和打拿極保護(hù)，這倆東西暴露在空氣中將嚴(yán)重縮短壽命； 

7.降低本底干擾。